[发明专利]一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺，晶界层陶瓷电容器包括金电极、晶界层陶瓷和TiW过渡层，采用晶界层陶瓷介质，并且采用特殊的切割工艺，将产品制成梯形结构；使得本发明产品体积小、电容量大；可靠性高，生产过程工艺步骤减少，避免光刻工艺，避免金层电极附着力下降；采用特殊的划片工艺极大提高产品的合格率，降低生产成本。

主权项

1.一种晶界层陶瓷电容器的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，对陶瓷基片进行清洗，将用于基片清洗的洗片盒子用去离子水洗净，将陶瓷基片放入洗片盒子中，用无水酒精进行清洗，超声波电压调为(150±50)V，清洗时间为(20±2)min，擦拭陶瓷基片，再放入超声波清洗机进行清洗，超声波输出电压调为(150±50)V，清洗时间为20±2min，上述超声波清洗机清洗时浸没所有基片，最后用去离子水清洗(20±2)min，要求在加热(100±3)℃的水浴炉中清洗，清洗完毕后，将基片取出，放置于载片舟上；步骤2，将放有基片的载片舟放入烘箱中烘干，温度为(150±5)℃，烘干时间为(120±30)min；步骤3，将清洗好的基片放置在溅射机内，对溅射机进行腔体加热，基片采用自转和公转方式，采用直流溅射的方式进行溅射，先溅射过渡层TiW靶材，再溅射Au靶材；步骤4，溅射完后，关掉加热装置，随炉冷却至少8h后，将基片取出；步骤5，将溅射好的基片进行真空热处理，真空度高于10^‑2pa；步骤6，将丙酮倒入装有溅射后基片的洗片盒子中，放入超声波清洗机中进行清洗，超声波输出电压调为150±50V，清洗时间为15±2min，上述过程必须浸没所有基片；步骤7，切割基片；在基片上下表面涂覆一层保护漆，选用适合的刀具，其中所述步骤7中刀具为锥形刀具，设置主轴转速、切割速度参数进行切割；切割完毕后对产品进行清洗；去掉保护漆；步骤8，分选，对产品进行外观、电容量和损耗分选，剔除不合格品；步骤9，对产品进行温度冲击筛选，包装检验。