[发明专利]一种高深宽比图形结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种高深宽比图形结构的形成方法，通过在衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层以及光刻胶层，并在打开第一硬掩模层后，使用低温沉积工艺，在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层，使得在后续刻蚀有机物涂覆层并形成高深宽比光刻胶形貌时，可利用第二硬掩模层对图形顶部侧壁形成保护，因此可避免在高深宽比光刻胶刻蚀时由于等离子轰击造成的锥形或保龄球形形貌的产生，从而可改善选择比不够、图形边缘毛刺和关键尺寸变大的问题，并可使后续注入的离子能够按照器件设计的浓度进行分布。

主权项

一种高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层、光刻胶层；步骤S02：图形化光刻胶层，并刻蚀打开第一硬掩模层，停止在有机物涂覆层；步骤S03：在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层；步骤S04：采用各向异性刻蚀去除图形结构表面和底部的第二硬掩模层，保留侧壁处的第二硬掩模层；步骤S05：采用各向异性刻蚀有机物涂覆层，使得到的图形结构顶部和底部分别停止在第一硬掩模层和介质膜去胶停止层上，形成高深宽比光刻胶形貌；步骤S06：去除图形结构顶部的第一、第二硬掩模层。