[发明专利]一种蓝宝石衬底的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201611046850.0 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091559B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 匡锡文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝宝石衬底的刻蚀方法，包括先后进行的主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，主刻蚀步骤包括工艺开始时的快速升温阶段，在快速升温阶段，将蓝宝石衬底的背吹冷却气体压力调整到设定压力范围内；同时将用于使蓝宝石衬底产生偏压的下电极功率调整到设定功率范围内；以使蓝宝石衬底的温度能在设定时间范围内从初始温度上升到设定温度范围内；从而使蓝宝石衬底的刻蚀选择比能达到0.85以上。该蓝宝石衬底的刻蚀方法，发现蓝宝石衬底背吹冷却气体压力和下电极功率在设定范围内能够使蓝宝石衬底的温度在较短时间内上升到使其刻蚀选择比达到0.85以上的设定温度范围内，从而提高了刻蚀选择比，进而提高了蓝宝石衬底的刻蚀高度及刻蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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