[发明专利]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201611046643.5 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108085649B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张禄禄 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔体、上衬环、下衬环和绝缘件，其中，下衬环环绕在腔体的侧壁内侧；上衬环环绕在下衬环的环壁内侧；绝缘件设置在上衬环与下衬环之间；该绝缘件包括闭合的环状本体；上衬环具有第一外沿，下衬环具有第二外沿，第二外沿、环状本体和第一外沿由下而上依次叠置。本发明提供的反应腔室，其不仅可以解决绝缘件易破碎的问题，而且可以简化上衬环、下衬环和绝缘件的安装过程，从而便于设备的维护。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括腔体、上衬环、下衬环和绝缘件；其中，所述下衬环环绕在所述腔体的侧壁内侧；所述上衬环环绕在所述下衬环的内侧；所述绝缘件设置在所述上衬环与所述下衬环之间；其特征在于，所述绝缘件包括闭合的环状本体；所述上衬环具有第一外沿，所述下衬环具有第二外沿；其中，所述第二外沿、所述环状本体和所述第一外沿由下而上依次叠置。
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