[发明专利]晶圆及其制备方法在审
| 申请号： | 201611041964.6 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106505094A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;方冬;章文通;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆及其制备方法，包括多个结构相同的晶粒，每个晶粒包括N型衬底、氧化层、超结元胞结构，超结元胞结构包括P型掺杂区与N型掺杂区，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开；制备方法包括步骤采用N型硅片作材料A，采用P型硅片作材料B；材料A正面注入氧离子，材料B正面注入氢离子；材料A按图形刻槽，材料B按相反的图形刻槽；形成槽的材料B与形成槽的材料A对接，合成一块半导体C；材料B底部剥离，重复利用；晶圆表面处理；本发明晶圆无需多次注入、多层外延，简化了工艺流程，从而降低制作成本，晶圆可形成超高深宽比的P‑N条，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆，其特征在于：包括多个结构相同的晶粒(2)，每个晶粒(2)包括底部的N型衬底(8)、N型衬底(8)上方的氧化层(7)、氧化层(7)上方的超结元胞结构，超结元胞结构包括P型掺杂区(3)与N型掺杂区(4)，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开。
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