[发明专利]触发可控硅控制单元和控制方法

摘要

本发明涉及一种触发可控硅控制单元，它包括处理器、可控硅激光发射装置、可控硅激光接收装置和可控硅参数采集接口，其中，处理器的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置的信号输入端，处理器的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置的信号输出端，处理器的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口的一端；本发明能高效控制可控硅触发，同时准确监测可控硅的基本参数数据。

主权项

一种触发可控硅控制单元，其特征在于：它包括处理器(1)、可控硅激光发射装置(2)、可控硅激光接收装置(3)和可控硅参数采集接口(4)，其中，处理器(1)的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置(2)的信号输入端，处理器(1)的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置(3)的信号输出端，处理器(1)的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口(4)的一端；所述可控硅激光发射装置(2)的激光信号输出端连接可控硅控制单元(6)的可控硅激光触发信号输入端，可控硅数据采集装置(5)的可控硅基本参数数据输出端连接可控硅参数采集接口(4)的另一端；所述处理器(1)用于通过可控硅数据采集装置(5)采集可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流；所述处理器(1)还用于通过可控硅激光发射装置(2)向可控硅控制单元(6)发送可控硅激光触发信号；所述处理器(1)还用于通过可控硅激光接收装置(3)接收可控硅控制单元(6)反馈的可控硅是否触发成功的反馈信息。