[发明专利]一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法有效
申请号: | 201611039144.3 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN106356714B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 邹永刚;田锟;范杰;马晓辉;王海珠;海一娜;石琳琳;徐莉 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | H01S5/18 | 分类号: | H01S5/18 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 郎坚 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法,其包括制作在同一外延片上的多个激光器单管,每个激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、二阶光栅层和下电极,中间层包括自上而下依次设置的缓冲层、过渡层、n盖层、n包层、有源层、p包层和p盖层,其中,二阶光栅层设置在p盖层上远离有源层的一侧,二阶光栅层的光栅脊为曲线,且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接。本发明不仅扩大了腔内激光的谐振范围,而且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接,其实现了相邻激光器单管之间的光子互注入,以及提升了激光增益介质利用率的目的,从而有利于实现激光器的高功率、高光束质量的工作输出。 | ||
搜索关键词: | 一种 侧向 耦合 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种侧向耦合面发射激光器,其特征在于,包括制作在同一外延片上的多个激光器单管,每个所述激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、二阶光栅层和下电极,所述中间层包括自上而下依次设置的缓冲层、过渡层、n盖层、n包层、有源层、p包层和p盖层,其中,所述二阶光栅层设置在所述p盖层上远离所述有源层的一侧,所述二阶光栅层的光栅脊走向为曲线,且相邻两个所述激光器单管之间的所述光栅脊一一对应连接;每个所述激光器单管中的二阶光栅层关于其纵向中心线对称制作在所述p盖层上远离所述有源层的一侧。
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