[发明专利]存储器阵列的操作方法在审
| 申请号： | 201611032425.6 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108074618A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器阵列的操作方法。操作方法包括一全部编程步骤、一擦除步骤及一选择编程步骤。全部编程步骤用以对NAND串行的所有存储单元进行编程。擦除步骤系在全部编程步骤之后，且用以对NAND串行的所有存储单元进行擦除。选择编程步骤系在擦除步骤之后，且系用以编程NAND串行的存储单元的一部分。存储器阵列包括一NAND串行。NAND串行包括一柱状通道层、一柱状存储层及多个控制栅。控制栅间隔环绕柱状存储层。存储单元系定义在柱状通道层与控制栅的交错处。 | ||
| 搜索关键词： | 编程步骤 存储单元 擦除 存储器阵列 控制栅 柱状通道 存储层 编程 环绕柱 交错处 柱状 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列的操作方法，包括：一全部编程步骤，用以编程一NAND串行的所有多个存储单元，其中该NAND串行包括：一柱状通道层；一柱状存储层；及多个控制栅，间隔环绕该柱状存储层，这些存储单元系定义在该柱状通道层与这些控制栅的交错处；一擦除步骤，用以擦除该NAND串行的所有这些存储单元，且系在该全部编程步骤之后执行；及一选择编程步骤，用以编程该NAND串行的这些存储单元的一部分，且系在该擦除步骤之后执行。
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