[发明专利]一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置有效

专利信息
申请号: 201611029326.2 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106730378B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 李凯 申请(专利权)人: 安徽航天生物科技股份有限公司
主分类号: A61N5/06 分类号: A61N5/06
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置,包括相连的变压器与整流滤波器,还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机,所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管,升降直流电机与四个DMOS管构成H桥;第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端,第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地;四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连;采用四个DMOS管构成的全桥驱动电路对升降直流电机的正反转进行控制,结构简单,控制可靠性高、速度快,并且体积小、功耗低,能够降低故障率。
搜索关键词: 一种 红外线 治疗 红外 照射 升降 控制 装置
【主权项】:
1.一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置,包括相连的变压器与整流滤波器,其特征在于,所述装置还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机,所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管,升降直流电机与四个DMOS管构成H桥;第一DMOS管与第二DMOS管在H桥的左侧,第三DMOS管与第四DMOS管在H桥的右侧;第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端,第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地;四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连;每个DMOS管的漏极与源极之间还并联有续流二极管;当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平时,升降直流电机正转,红外照射头上升;当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平时,升降直流电机反转,红外照射头下降;当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平时,或者当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平时,升降直流电机停止,红外照射头停止。
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