[发明专利]一种单层二硫化钼的制备方法

摘要

目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。如果衬底清洗不干净，二硫化钼就极易长成多层或体材料，彻底清洗衬底,会用到丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品，这些药品对人体有毒害作用，因而操作过程中具有潜在的危险。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。

主权项

一种制备单层二硫化钼的化学气相沉积法，其特征在于，(1)提供一种在二氧化硅/硅衬底上制备单层二硫化钼的化学气相沉积法；(2)提供一种简化的清洗衬底的方法；(3)采用常压化学气相沉积法，硫源为硫粉，钼源为三氧化钼粉末；3)简化了升温过程。