[发明专利]面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法

摘要

本发明公开了一种面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法，包括：确定稀疏排布阵列天线的结构参数、电磁工作参数和稀疏排布矩阵，给出初始激励电流幅度加权方案；计算稀疏阵中相邻两个辐射单元在目标处的辐射场空间相位差，得到稀疏排布阵列天线的辐射场口面相位差；计算稀疏排布阵列天线的辐射场方向图；计算稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平；根据天线设计要求，判断是否满足，若不满足，计算得到最低最大副瓣电平值，通过选择、交叉和变异方法更新阵列天线单元的激励幅度加权方案，重复计算，直至满足要求。本发明克服了疏排布阵列天线低副瓣性能实现的空缺，能够快速、有效地得到满足低副瓣要求的激励电流幅度加权方案。

主权项

1.一种面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)根据平面矩形栅格阵列天线的基本结构，确定天线的结构参数以及电磁参数，确定出稀疏排布阵列天线的稀疏排布矩阵，并给出该稀疏排布阵列天线的初始激励幅度加权方案；(2)计算稀疏排布矩阵中相邻的两个辐射单元在目标处的辐射场空间相位差，进而得到稀疏排布阵列天线的辐射场口面相位误差；(3)结合稀疏排布矩阵中天线单元的辐射单元方向图和初始激励幅度加权方案，分别计算在激励幅度加权方案下该稀疏排布阵列天线的辐射场方向图；(4)根据稀疏排布阵列天线的辐射场方向图函数，分别计算在激励幅度加权方案下该稀疏排布阵列天线的增益方向图函数，并最终由增益方向图函数计算稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平；(5)根据天线设计要求，判断当前所有激励幅度加权方案下稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平中是否有满足低副瓣要求的，如果有满足要求的，则最大副瓣电平最低的那个激励幅度加权方案即为实现阵列天线辐射场低副瓣的最优激励幅度加权方案；否则，根据所有方案中计算得到的最低的最大副瓣电平值，通过选择、交叉和变异的方法更新阵列天线单元的激励幅度加权方案，重复步骤(2)至步骤(4)，直到满足要求为止。