[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法包括形成延伸穿过位于一基底上的一介电层的第一、第二及第三沟槽。形成一材料层于第一、第二及第三沟槽内。形成一牺牲层，以完全填满剩下的第一及第二沟槽。回蚀位于第一沟槽及第二沟槽内的牺牲层，且回蚀位于第一沟槽及第二沟槽内的材料层。在回蚀材料层之后，第一沟槽内余留的材料层的上表面与余留的牺牲层的上表面为共平面，而第二沟槽内余留的材料层的上表面与余留的牺牲层的上表面为共平面。上述方法也包括去除位于第一沟槽及第二沟槽内余留的牺牲层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括︰形成延伸穿过位于一基底上的一介电层的一第一沟槽、一第二沟槽及一第三沟槽，其中该第二沟槽位于该第一沟槽与该第三沟槽之间，其中该第一沟槽及该第二沟槽具有一第一宽度，该第三沟槽具有大于该第一宽度的一第二宽度；形成一材料层于该第一沟槽、该第二沟槽及该第三沟槽内；形成一牺牲层，以完全填满剩下的该第一沟槽及该第二沟槽，其中该第一沟槽内的该牺牲层的厚度相同于该第二沟槽内的该牺牲层的厚度；回蚀位于该第一沟槽及该第二沟槽内的该牺牲层，其中该第一沟槽内该牺牲层的余留厚度相同于该第二沟槽内的该牺牲层的余留厚度；回蚀位于该第一沟槽及该第二沟槽内的该材料层，其中在回蚀该材料层之后，该第一沟槽内该余留的材料层的上表面与该余留的牺牲层的上表面为共平面，而该第二沟槽内该余留的材料层的上表面与该余留的牺牲层的上表面为共平面；以及去除位于该第一沟槽及该第二沟槽内该余留的牺牲层。