[发明专利]浮区法生长晶体的设备及方法在审
| 申请号： | 201611022589.0 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108070901A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浮区法生长晶体的设备及方法，所述浮区法生长晶体的设备包括：射频线圈；辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。本发明的浮区法生长晶体的设备中的激光器与射频线圈具有一定的间距，不会与射频线圈相互干扰影响；使用激光器作为加热源，加热效率更高；同时，通过在原料硅锭外围设置反射环，激光器发出的激光经反射换多次反射为所述原料硅锭加热，进一步提高了加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 反射环 射频线圈 浮区法 晶体的 原料硅 生长 加热效率 加热 辅助加热系统 晶体生长过程 多次反射 上下两侧 加热源 熔区 反射 激光 外围 配合 | ||
【主权项】：
1.一种浮区法生长晶体的设备，其特征在于，所述浮区法生长晶体的设备包括：射频线圈；辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。
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