[发明专利]电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法有效

专利信息
申请号: 201611020410.8 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN106744685B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 宗冰;张宝顺;王体虎 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)有限公司
主分类号: C01B3/50 分类号: C01B3/50
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 李丙林
地址: 810007 青海省西*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明提供一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法,属于电子级多晶硅生产中尾气的提纯技术领域。将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使Cl2活化得到氯自由基,氯自由基与氢化物反应得到含氯化合物,将含氯化合物与循环氢气分离。此深度净化方法中,循环氢气中含有微量Cl2,微量Cl2在等离子体装置中由于强电磁场作用会充分活化,形成具有强取代活性的氯自由基,氯自由基会优先与氢化物发生取代反应,使其转变高沸点、强极性的物质,容易与循环氢气分离;不引入外杂质、反应副产物只有微量HCl,容易与循环氢气分离;等离子体活化可使Cl2活化更加充分,达到循环氢气深度净化的目的。
搜索关键词: 循环氢气 氯自由基 深度净化 电子级多晶硅 活化 等离子体装置 含氯化合物 氢化物 等离子体活化 反应副产物 氢化物发生 强电磁场 取代反应 提纯技术 高沸点 强极性 生产 尾气 引入
【主权项】:
1.一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法,其特征在于,将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使所述Cl2活化得到氯自由基,所述氯自由基与所述氢化物反应得到含氯化合物,向所述等离子体装置中加入络合剂,以使生成的所述含氯化合物与所述络合剂反应得到络合物实现所述含氯化合物与所述循环氢气的分离。
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