[发明专利]一种PERC太阳能电池结构及其制备工艺有效
申请号: | 201611018372.2 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN106653871B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 陈健生;董方 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;沈刚 |
地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种PERC太阳能电池结构及其制备工艺。它包括电池片本体,所述电池片本体的正面依次沉积/生长有SiO2层、减反层和AlOx层,所述电池片本体的背面依次沉积有AlOx层和SiNx层;在PERC电池常规制备工艺的基础上,增加了表面氧化掺杂工艺;同时,对PERC电池工艺的调整;还采用了独特的表面钝化层沉积工艺。本发明的有益效果是:通过氧化过程中的有效掺杂,提高电池表面的杂质浓度,改善电池的FF,弥补由于背面局部接触导致的FF恶化;同时,通过对PERC电池工艺的调整,解决掺杂工艺导致的边缘漏电问题,从而简化工艺过程;不仅提高了电池的转换效率,而且为PERC电池后续的光致恢复工艺提供了更好的氢化效果,从而实现抗LID。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种PERC太阳能电池结构的制备工艺,其特征是, 所述PERC太阳能电池结构的制备工艺包括如下步骤:(1)硅片在碱性或者酸性溶液中制绒后,清洗,烘干,绒面尺寸控制在5um以内;(2)扩散炉中进行高温磷扩散,扩散方阻在60‑120Ω/口之间,表面浓度在1019‑1022atom/cm3之间,结深控制在200‑800nm之间,进行湿法刻蚀和清洗;(3)扩散炉中进行氧化掺杂,氧化温度在600‑900℃之间,时间在10‑60min,同时通入POCl3进行掺杂,控制表面浓度,掺入杂质类型与发射结相同,掺杂温度在600‑900℃之间,时间为60‑300s之间,掺杂后表面浓度控制在1020‑1022atom/cm3之间,结深控制在300‑900nm之间;(4)正面镀膜:通过PECVD沉积减反层,并控制折射率和膜厚;(5)背面刻蚀和清洗,去除氧化掺杂过程中引入的边结/背结,同时清洗背面;(6)双面同时沉积AlOx层,折射率1.6‑1.65,膜厚3‑30nm;(7)退火,背面SiNx层沉积,折射率1.9‑2.4,膜厚80‑200nm;(8)激光开窗,制备背面局部接触图案;(9)丝网印刷及高温烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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