[发明专利]一种生瓷片去膜装置及方法有效
| 申请号： | 201611015517.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106684018B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 宋振国;王斌;胡莹璐;桑锦正;付延新;赵秉玉;路波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 陈海滨 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生瓷片去膜装置及方法。所述装置包括真空吸盘、流体控制阀和真空发生装置；在真空吸盘的下表面下方设有一个与所述真空吸盘的下表面连通的密封腔体；该密封腔体通过管路与流体控制阀连接，流体控制阀通过管路与真空发生装置连接。本发明通过将生瓷片真空吸附在真空吸盘的上表面上，可以保证在去除聚酯膜时生瓷片不会发生变形现象，因此生瓷片的尺寸不会改变，有利于提高叠片时的对准精度；另外，生瓷片去除聚酯膜时会产生静电，本发明使用消除静电毛刷将生瓷片上的静电导走，叠片时生瓷片之间不会由于静电吸引而难以调整位置，提高叠片效率和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瓷片 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生瓷片去膜方法，其采用的生瓷片去膜装置包括：真空吸盘、流体控制阀和真空发生装置；在真空吸盘的下表面下方设有一个与所述真空吸盘的下表面连通的密封腔体；该密封腔体通过管路与流体控制阀连接，流体控制阀通过管路与真空发生装置连接；其特征在于，所述生瓷片去膜方法包括如下步骤：a将生瓷片平放在真空吸盘的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，调整生瓷片的位置使其与真空吸盘的上表面对准；b打开真空发生装置、并开启流体控制阀，生瓷片被吸附在真空吸盘的上表面；c从生瓷片的一角分离聚酯膜，沿对角线方向将聚酯膜和生瓷片分开；e关闭流体控制阀，取下生瓷片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
