[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611010314.5 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106449955A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐慧文;魏天使;童玲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所31282 | 代理人： | 钟宗;王宁 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，该垂直结构发光二极管包括：键合衬底；金属键合层，包括依次位于所述键合衬底上的第二金属键合层和第一金属键合层；金属阻挡层，位于所述金属键合层的背离键合衬底的一侧；反射层，位于所述金属阻挡层的背离键合衬底的一侧；透明导电层，位于所述反射层的背离键合衬底的一侧；发光外延结构，包括依次层叠于所述透明导电层的背离键合衬底的一侧的P‑GaN层、活性层、N‑GaN层；N电极，位于所述N‑GaN层的背离键合衬底的一侧；P电极，位于所述键合衬底的背离发光外延结构的一侧。该垂直结构发光二极管能够显著增强键合衬底与金属阻挡层的连接强度，避免高温破坏反射层或透明导电层与P型GaN的接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构发光二极管，其特征在于，包括：键合衬底；金属键合层，包括依次位于所述键合衬底上的第二金属键合层和第一金属键合层；金属阻挡层，位于所述金属键合层的背离所述键合衬底的一侧；反射层，位于所述金属阻挡层的背离所述键合衬底的一侧；透明导电层，位于所述反射层的背离所述键合衬底的一侧；发光外延结构，包括依次层叠于所述透明导电层的背离所述键合衬底的一侧的P‑GaN层、活性层、N‑GaN层；N电极，位于所述N‑GaN层的背离所述键合衬底的一侧；P电极，位于所述键合衬底的背离所述发光外延结构的一侧。
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