[发明专利]一种碲化铋基P型热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611000402.7 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN106449957B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宏;王银峰;刘斌 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 215009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种碲化铋基P型热电材料(Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化铋基P型热电材料（Bi1‑xSbx)2Te3的制备方法，包括以下工艺步骤：将可选用单质原料按 （Bi1‑xSbx)2Te3，0.7 ≤ x ≤ 0.75，化学式含量称重；装入底部烧结较平石英管中进行抽真空封管，然后装入电阻加热的摇摆炉，将石英管竖直放置，加温至780℃±10℃烧结反应36至48小时，在反应过程中不定时地按振幅120º摇摆石英管，保证反应充分和熔体组分分布均匀，反应结束将石英管放置到竖直位置，然后以3℃/h±1℃/h的速率缓慢降温至600℃±5℃，保温1‑2小时后再以1.5℃/h±0.3℃/h的速率降温到585℃±5℃，保温1‑1.5小时后再以3℃/h±0.5℃/h降温到550℃±3℃，然后在该温度退火48小时后自然冷却到室温即获得（Bi1‑xSbx)2Te3多晶体材料，该热电材料主要用于温差发电芯片的制备。
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