[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201610994764.6 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106711132B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | D·多梅斯;R·拜雷尔;W·布雷克尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/52;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体装置，具有多个并联接线的、布置在一个平面中的同类型的功率半导体开关元件，其具有用于负载电流馈入以及用于负载电流馈出的负载电流接头，功率半导体装置限定来自负载电流馈入和负载电流馈出的每个负载电流方向的至少一个外部负载电流接头和至少一个内部负载电流接头，功率半导体装置还具有至少一个接触设备，以用于多个，尤其是所有来自负载电流馈入和负载电流馈出的同一个负载电流方向的负载电流接头一起电接触，接触设备具有多个接线片，其分别被固定在相应的负载电流接头处且外部负载电流接头的接线片的几何形状和/或曲线走向与同一个接触设备的内部负载电流接头的接线片的几何形状和/或曲线走向不同。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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