[发明专利]太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对所述半导体基板实施不含有所述杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使所述杂质元素从所述浆料扩散到所述半导体基板的所述浆料的下部区域，从而在所述半导体基板的所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了所述杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在所述处理室中保持所述半导体基板的状态下，在所述处理室内，接着所述第一热处理以与所述第一热处理不同的所述杂质元素的扩散条件对所述半导体基板实施含有所述杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使所述杂质元素从所述含掺杂物气体扩散到所述半导体基板的一面侧的未涂敷所述浆料的露出区域，从而在所述露出区域形成以低于所述第一浓度的第二浓度扩散了所述杂质元素的第二杂质扩散层。