[发明专利]一种垂直结构LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201610981934.7 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106571414B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;何键云 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/44;H01L21/78 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种垂直结构LED芯片的制造方法，仅采用2道光刻工艺，即可完成垂直结构LED芯片的制造，大大简化垂直结构LED芯片的制造工艺，有效降低垂直结构LED芯片的制造难度和成本，使垂直结构LED芯片能实现工业化量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括：/n提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；/n对所述发光结构进行激光切割，形成贯穿所述发光结构并延伸至第一衬底内的第一通孔，其中，第一通孔的深度为5-100微米，且第一通孔具有倾斜角度，所述倾斜角度为30-70度；/n将所述发光结构浸泡在加热的酸性溶液或碱性溶液中，以除去激光灼烧生产物；/n在所述发光结构表面及第一通孔内旋涂一层光敏性的绝缘材料，并对所述光敏性的绝缘材料进行刻蚀，使所述光敏性的绝缘材料填充在所述第一通孔内；/n在所述发光结构及所述第一通孔表面依次形成金属反射层，并对金属反射层进行快速退火，以使金属反射层之间发生金属间扩散；/n在金属反射层的表面形成扩散阻挡层；/n在扩散阻挡层的表面形成金属种子层，并对所述金属种子层进行退火；/n在金属种子层的表面形成电镀金属支撑层，并对电镀金属支撑层进行低温退火，退火时间为10min-100min；/n将所述第一衬底与所述发光结构分开，去除所述第一通孔内的光敏性的绝缘材料，将第一通孔裸露出来；/n采用湿法腐蚀工艺除去缓冲层、N型氮化镓层表面的损伤层和不导电层；/n采用湿法腐蚀工艺对N型氮化镓层进行表面粗化；/n在所述发光结构表面及所述第一通孔侧壁形成一绝缘层，并对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层并延伸至所述N型氮化镓层中的第二通孔，并在所述第二通孔内填充金属层形成N型电极。/n
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