[发明专利]一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球及制备和应用

摘要

本发明提供了一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球及制备和应用，铜箔置于碱溶液中，转入反应釜，产物洗涤烘干得A；将A浸渍于酸溶液中，将铜箔取出，洗涤烘干得B；将B煅烧得到掺杂Cu+的CuO；将掺杂Cu+的CuO浸渍在锰盐溶液中得C；将C用乙醇和去离子水洗涤烘干后，置于马弗炉中，煅烧得纯CuMn2O4；将纯CuMn2O4置于氢气气氛中，以1~2℃/min的升温和降温速率在350~450℃煅烧得CuMn2O4‑x（0<x≤2）。三维的纳米微球结构具有较大的比表面积，能够与电解液充分接触；缺氧型缺陷对提高材料的导电性起着很重要的作用，进而可以提高材料的电化学性能。

主权项

一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球的制备方法，其特征在于，所述三维氧缺陷铜锰氧分子式为CuMn2O4‑x，0<x≤2，该方法的具体步骤为：（1）将铜箔置于20 mL浓度为1～2 mol/L的碱溶液中，静止0.5～1 h，然后转入反应釜160～180℃反应6～8h，将产物用乙醇和去离子水洗涤数次，80～100℃烘箱烘干，得A；（2）将上述A浸渍于浓度为1～2 mol/L的酸溶液中，静止10～30 min，将铜箔从酸溶液中取出，乙醇和去离子水洗涤数次，80～100℃烘箱烘干，得B；（3）将B在马弗炉中以2～5℃/min的升温速率500～600℃煅烧3～5 h，得到掺杂Cu+的CuO；（4）将掺杂Cu+的CuO浸渍在1‑2 mol/L的锰盐溶液中，转入反应釜，80‑100℃反应6～8 h，得C；（5）将C用乙醇和去离子水洗涤烘干后，置于马弗炉中，500～600℃煅烧2‑5 h，得纯CuMn2O4；（6）将纯CuMn2O4置于氢气气氛中，以1～2℃/min的升温和降温速率在350～450℃煅烧1～2 h，得CuMn2O4‑x，0<x≤2。