[发明专利]一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器有效
| 申请号： | 201610973949.9 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106356716B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘震;王嘉琪;于红艳;周旭亮;李召松;王圩;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 基带 电极 光谱 晶闸管 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种宽光谱晶闸管激光器，所述的激光器具备PNPN晶闸管结构，自上而下依次包括：上P型区、上N型区、下P型区、下N型区，其特征在于，还包括一个i型区，其位于所述的下P型区和下N型区之间，整体上构成PNPiN结构，所述的i型区具备量子阱有源区层，用于产生激光；所述的下P型区包括p型栅电极，用于实现器件的可控性和稳定性；所述的上N型区和下P型区之间通过GaAs隧道结层过渡，用于激发出宽光谱的激光。
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