[发明专利]基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器及制作方法有效

专利信息
申请号: 201610955366.3 申请日: 2016-11-03
公开(公告)号: CN106525093B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 尹金德;阮双琛;闫培光;陈浩 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G01D5/353 分类号: G01D5/353;G01R33/032
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 李素兰
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器,该传感器包括光纤干涉仪和纳米磁流体材料(4);所述光纤干涉仪由导入单模光纤(1)和导出单模光纤(3)以及两者之间偏心熔接的一段细芯光纤(2)构成;所述纳米磁流体材料(4)的有效折射率同时受到磁场强度和方向的调制;通过纳米磁流体材料(4)和偏心包层光模式(8)之间的倏逝场耦合作用,实现磁场强度和方向对偏心包层光模式(8)有效折射率的调制作用,从而使光纤干涉仪输出光谱信号受磁场矢量调制,构成光纤矢量磁场传感器。本发明达到矢量磁场对干涉光谱信号的高灵敏度调制目的,实现高灵敏度磁场矢量传感测量。
搜索关键词: 矢量磁场 传感器 调制 偏心 光纤干涉仪 纳米磁流体 有效折射率 光纤 磁场矢量 单模光纤 高灵敏度 磁流体 非均匀 光模式 包层 团簇 磁场 干涉光谱信号 输出光谱 细芯光纤 耦合作用 倏逝场 传感 导出 熔接 测量 制作
【主权项】:
1.一种基于磁流体非均匀团簇的光纤矢量磁场传感器,其特征在于,该传感器包括光纤干涉仪和纳米磁流体材料(4);所述光纤干涉仪由导入单模光纤(1)和导出单模光纤(3)以及两者之间偏心熔接的一段细芯光纤(2)构成;入射光(7)进入细芯光纤(2)之后分裂成偏心包层光模式(8)和芯层光模式(9),并在导出单模光纤(3)的芯层相遇形成导出光(10),产生马赫泽德干涉光谱信号;所述纳米磁流体材料(4)通过玻璃毛细管(5)和光学紫外胶(6)密封包裹在光纤干涉仪周围形成包层结构;在磁场作用下,与磁场方向相切的细芯光纤表面附近,铁磁性纳米粒子(12)汇集成高密度纳米粒子群(14);与磁场方向垂直的细芯光纤表面附近,铁磁性纳米粒子(12)分散成低密度纳米粒子群(13),形成所述铁磁性纳米粒子(12)在光纤干涉仪附近随磁场方向汇聚或分散;即细芯光纤端面(11)周围的铁磁性纳米粒子(12)沿磁场方向形成链状团簇结构,光纤干涉仪附近的铁磁性纳米粒子(12)呈现出非均匀分布特征;使得在细芯光纤(2)中偏心包层光模式(8)附近,所述纳米磁流体材料(4)的有效折射率同时受到磁场强度和方向的调制;通过纳米磁流体材料(4)和偏心包层光模式(8)之间的倏逝场耦合作用,实现磁场强度和方向对偏心包层光模式(8)有效折射率的调制作用,从而使光纤干涉仪输出光谱信号受磁场矢量调制,构成光纤矢量磁场传感器。
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