[发明专利]一种双相混合腐蚀制备多晶硅绒面的方法

摘要

本发明涉及一种双相混合腐蚀制备多晶硅绒面的方法，属于多晶硅绒面制备技术领域。本发明将多晶硅片表面洗涤后，用双氧水、高锰酸钾溶液和盐酸复合氧化腐蚀多晶硅表面，使其形成微小孔隙后，制备得液相处理多晶硅片，随后将其置于电解铝厂废气中，在均匀的气体环境中，通过高压放电形成的等离子体，对液相处理后多硅晶表面进行刻蚀，由于气相环境均一且稳定，制备得一种均匀稳定的多硅晶绒面，通过表面呈现凹凸不平的孔洞状表面形态，进而使可见光在多晶硅表面形成多次的反射，降低表面反射率，增加光的吸收，提高光的转化效率，具有广阔的应用前景。

主权项

一种双相腐蚀制备多晶硅绒面的方法，其特征在于具体制备步骤为：(1)选取多晶硅片，将其用无水乙醇和去离子水分别擦洗3～5次后，在200～300W下超声分散处理10～15min，随后将超声清洗后的多晶硅片取出并置于45～50℃下干燥处理25～30min，制备得预处理多晶硅片，备用；(2)按重量份数计，分别称量25～30份质量分数10％双氧水溶液、10～15份质量分数5％盐酸溶液和1～2份质量分数10％高锰酸钾溶液置于烧杯中，搅拌混合制备得液相氧化液；(3)按质量比1:2:20，将臭氧水、步骤(1)备用的预处理多晶硅片与上述制备的液相氧化液搅拌混合并添加至高压反应釜中，在45～50℃下水浴加热10～15min后，对高压反应釜中通入氯气并在氯气气氛下，保温反应20～24h，随后停止加热并静置冷却至室温，过滤收集滤饼，用去离子水洗涤至洗涤液pH至中性后，制备得液相腐蚀多晶硅片；(4)收集电解铝厂含氟废气并加热至65～70℃，制备得热处理含氟废气，随后用真空泵将热处理含氟废气通入等离子表面处理器中，在热处理含氟废气气氛下，将制备的上述液相腐蚀多晶硅片置于10～15kV等离子表面处理器下放电处理10～15min，随后关闭真空泵并通入大气，静置冷却至室温，即可制备得一种双相腐蚀制备的多晶硅绒面。