[发明专利]一种具有埋氧化层的沟槽栅IGBT及其制作方法

摘要

本申请公开了一种具有埋氧化层的沟槽栅IGBT及其制作方法，该方法包括在N型硅衬底表面进行磷注入形成N型区，N型硅衬底形成N‑漂移区；在N型区的表面进行硼注入，形成P基区；在N型区下部进行高能氧离子注入，形成第一埋氧层和第二埋氧层，经后续高温工艺后，第一埋氧层和第二埋氧层分别形成第一埋氧化层和第二埋氧化层，所述第一埋氧化层和所述第二埋氧化层之间形成具有预设宽度的沟道，所述沟道用于对从所述N‑漂移区和所述P基区之间流出的空穴进行限流；制作沟槽栅并形成IGBT结构。通过在沟槽栅IGBT底部引入埋氧化层，缩小从其源极流出的空穴路径的面积，遏制源极空穴电流大小，降低IGBT导通压降。

主权项

1.一种具有埋氧化层的沟槽栅IGBT的制作方法，其特征在于，包括：在N型硅衬底表面进行磷注入形成N型区，所述N型硅衬底形成N‑漂移区；在所述N型区的表面进行硼注入，形成P基区；在所述N型区的下部进行高能氧离子注入，形成第一埋氧层和第二埋氧层，经后续高温工艺后，所述第一埋氧层和所述第二埋氧层分别形成第一埋氧化层和第二埋氧化层，所述第一埋氧化层和所述第二埋氧化层之间形成具有预设宽度的沟道，所述沟道用于对从所述N‑漂移区和所述P基区之间流出的空穴进行限流；制作沟槽栅并形成IGBT结构；所述在N型硅衬底表面进行磷注入形成N型区为：在所述N型硅衬底表面进行磷注入形成掺杂浓度高于所述N型硅衬底的N型增强层；所述制作沟槽栅包括：在所述第一埋氧层和所述第二埋氧层上接触式的分别刻蚀出沟槽；在所述沟槽中生长氧化层并淀积多晶硅；所述在所述N型区的下部进行高能氧离子注入为：利用光刻版在所述N型区的下部进行高能氧离子注入；所述形成IGBT结构包括：在所述沟槽栅旁边的位置进行N+注入，形成源极；淀积钝化层并刻蚀；在正面淀积金属；进行背面注入并退火，沉积背面金属；所述N型增强层为掺杂浓度范围为1*10¹⁵cm^‑3至1*10¹⁶cm^‑3。