[发明专利]一种氮面增强型氮化镓基异质结场效应管有效
| 申请号： | 201610934823.0 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106373991B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;白智元;蒋知广;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种氮面增强型氮化镓基异质结场效应管，属于微电子领域，涉及半导体器件的制作工艺。针对现有技术存在的问题与不足，本发明提出了一种具有局部P型沟道层结构的氮面氮化镓基异质结场效应晶体管，通过引入局部P型沟道层，实现增强型的氮面氮化镓基异质结场效应晶体管。当栅下GaN沟道层掺P型杂质后会抬高沟道层的导带，从而使二维电子气沟道耗尽。当栅压正向增大时，栅下pn结沟道层的耗尽区变窄，从而使二维电子气沟道开启。显然本发明能解决之前氮面增强型器件的问题，在保证栅控能力的同时保证形成的局部P型沟道层与二维电子气沟道有一定距离，使沟道载流子依然有较高的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 镓基异质结 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种氮面增强型氮化镓基异质结场效应管，该场效应管结构包括：衬底(313)，设置于衬底上的缓冲层(312)，设置于缓冲层(312)上的背势垒层(311)，所述背势垒层中部凸起高于两侧，背势垒层凸起部的上表面从左至右依次设置源极(306)、沟道层(310)、漏极(308)，所述源极(306)和漏极(308)的上表面高于沟道层(310)的上表面，沟道层(310)上表面的两侧分别设置钝化层(305)，钝化层(305)的上表面及其靠近中部的侧壁和沟道层(310)中部的上表面设置栅介质层(302)覆盖，栅介质层(302)中部凹陷处设置栅极(307)，栅极上表面高于栅介质层(302)上表面；所述源极(306)和漏极(308)的上表面与其接触的栅介质层(302)上表面齐平；所述背势垒层(311)的两侧凹台上设置隔离区(303)，隔离区的上表面与沟道层(310)上表面齐平，隔离区(303)上设置钝化层(305)，该处钝化层上再设置栅介质层(302)覆盖；其特征在于所述栅介质层(302)中部凹陷处下方对应的沟道层(310)中设置P型沟道，所述P型沟道为氮面AlxInyGazN材料，掺杂浓度为1×1014cm‑3～1×1021cm‑3。
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