[发明专利]三维封装的偏置印录方法在审
| 申请号： | 201610926437.7 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107977478A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种三维封装的偏置印录方法。不同三维偏置印录存储器（3D‑oP）芯片中的数据掩膜图形被合并到同一数据掩膜版上。在不同的印录步骤中，晶圆相对于该数据掩膜版的偏置量不同。因此，来自同一数据掩膜版的数据图形被印录到不同3D‑oP芯片的数据录入膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 封装 偏置 方法 | ||
【主权项】：
一种基于三维偏置印录存储器（3D‑oP）三维封装的偏置印录方法，其特征在于包括如下步骤：1）在一半导体晶圆上形成一衬底电路，该晶圆含有相邻的第一、第二和第四3D‑oP芯片，该第二3D‑oP芯片在y方向上与该第一3D‑oP芯片相邻，该第四3D‑oP芯片在x方向上与该第一3D‑oP芯片相邻；2）第一印录步骤，该第一印录步骤将第一掩膜图形转移到该第一、第二和第四3D‑oP芯片中的第一数据录入膜中，在该第一印录步骤开始时，该数据掩膜版的原点与该第一芯片的原点对准；3）第二印录步骤，该第二印录步骤将第二掩膜图形转移到该第一、第二和第四3D‑oP芯片中的第二数据录入膜中，在该第二印录步骤开始时，该数据掩膜版的原点与该第二芯片的原点对准；所述第一和第二掩膜图形来自同一数据掩膜版，该第一和第四3D‑oP芯片在该三维封装中垂直堆叠。
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