[发明专利]Al2O3修饰的阵列TiO2纳米线与光电催化分解水制氢的方法有效

专利信息
申请号: 201610921158.1 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN106480470B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 姜桂元;王雅君;赵震;白维坤;韩善磊;王海全;徐春明 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/06;C25B11/12;C23C28/04;B01J21/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 杨雯茜;姚亮
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种Al2O3修饰的阵列TiO2纳米线与光电催化分解水制氢的方法。本发明的Al2O3修饰的阵列TiO2纳米线包括碳布基底、生长在碳布基底上的阵列TiO2纳米线、以及通过在阵列TiO2纳米线表面进行原子层沉积而得到的Al2O3层,并且Al2O3层的层数为1‑20层。本发明采用液相水热合成的方法直接在碳布上生长出形貌均一的TiO2纳米线阵列,继而以TMA和H2O作为前驱体在纳米线表面均匀沉积Al2O3原子层,所制备的材料具有很好的光电催化制氢性能。此外,本发明还提供了一种利用上述Al2O3修饰的阵列TiO2纳米线作为催化剂进行光电催化分解水制氢的方法。
搜索关键词: al2o3 修饰 阵列 tio2 纳米 光电 催化 分解 水制氢 方法
【主权项】:
1.一种Al2O3修饰的阵列TiO2纳米线,其包括碳布基底、生长在碳布基底上的阵列TiO2纳米线、以及通过在阵列TiO2纳米线表面进行原子层沉积而得到的Al2O3层;并且所述TiO2纳米线的长度为500nm‑1μm,直径为20‑50nm,所述Al2O3层的层数为1‑20层。
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