[发明专利]一种表征薄膜残余应力的方法在审
申请号: | 201610919414.3 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN106546368A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 肖夏;睢晓乐;戚海洋 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01L5/00 | 分类号: | G01L5/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种表征薄膜残余应力的方法,包括采用薄膜/衬底结构的样片,控制激光器发射出一定频率和能量的短脉冲激光束,在样片表面汇聚成线性激光束,样片表面产生超声表面波;压电传感器探测,并采集离散时域电压信号;得到实验频散曲线;建模并得到无残余应力状态下的薄膜/基底模型理论频散曲线;将实验频散曲线与理论频散曲线进行比较,定性确定样片薄膜残余应力的大小排列。本发明可以快速、无损检测薄膜残余应力。 | ||
搜索关键词: | 一种 表征 薄膜 残余 应力 方法 | ||
【主权项】:
一种表征薄膜残余应力的方法,包括下列步骤:1)采用薄膜/衬底结构的样片,控制激光器发射出一定频率和能量的短脉冲激光束,经过光学调整系统最终在样片表面汇聚成线性激光束,样片表面产生超声表面波;2)表面波在样片表面传播一定距离后被压电传感器探测,再经过信号调理和数据采集后获得离散时域电压信号;3)对采集到的离散时域电压信号进行包括傅立叶变换在内的数学处理,得到实验频散曲线;4)将样片的薄膜和衬底的密度、杨氏模量、泊松比、厚度在内其他参数代入MATLAB理论模型中,5)在理论模型中用应力t来表征残余应力的大小,令t=0,运行程序则得到无残余应力状态下的薄膜/基底模型理论频散曲线;6)将实验频散曲线与应力t=0时的理论频散曲线进行比较,规定t<0时表现为压应力,t>0时表现为拉应力,由此判断其残余应力类型,然后通过改变应力t的值来找出与实验频散曲线最相近的理论曲线应力t的值,重复试验测得一组样片的应力t值,进行排序,从而定性确定样片薄膜残余应力的大小排列。
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