[发明专利]一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器

摘要

一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器，包括有依次串联连接的：产生太赫兹LO信号的压控振荡器，用于进行分频的第一级注入锁定分频器和第二级注入锁定分频器，以及用于对达到设定的频率进行锁定的锁相环，所述锁相环的反馈输出端连接所述压控振荡器的反馈输入端。本发明的一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器，采用标准的CMOS工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。同时还克服了CMOS工艺截止频率附近工作性能差的限制，实现了太赫兹频率合成器的设计。

主权项

1.一种采用CMOS工艺实现的太赫兹频率合成器，其特征在于，包括有依次串联连接的：产生太赫兹LO信号的压控振荡器(1)，用于进行分频的第一级注入锁定分频器(2)和第二级注入锁定分频器(3)，以及用于对达到设定的频率进行锁定的锁相环(4)，所述锁相环(4)的反馈输出端连接所述压控振荡器(1)的反馈输入端，所述的压控振荡器(1)包括有第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第一电阻(R1)以及第二电阻(R2)，其中，所述第一MOS管(M1)的栅极依次通过第三电感(L3)和第四电感(L4)连接第二MOS管(M2)的栅极，所述第一MOS管(M1)的栅极还通过第三电容(C3)与源极一起分别连接可变电容(C6)的一端及第五电感(L5)的一端，所述第一MOS管(M1)的漏极通过第一电感(L1)连接供电电源(VDD)，以及通过第一电容(C1)至输出端正极(Port1)连接第一级注入锁定分频器(2)的输入端，所述第二MOS管(M2)的栅极还通过第四电容(C4)与源极一起分别连接可变电容(C6)的另一端及第六电感(L6)的一端，所述第二MOS管(M2)的漏极通过第二电感(L2)连接供电电源(VDD)，以及通过第二电容(C2)至输出端负极(Port1)连接第一级注入锁定分频器(2)的输入端，所述第三电感(L3)和第四电感(L4)相连接端依次通过第一电阻(R1)和偏置电压(V1)接地，所述第五电感(L5)的另一端和第六电感(L6)的另一端连接第二电阻(R2)和第五电容(C5)的一端，所述第二电阻(R2)和第五电容(C5)的另一端接地。