[发明专利]一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统

摘要

一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，包括基底，所述基底的上表面上设置有二氧化硅体，所述二氧化硅体内位于上部设置有用于反射光的金属层，所述二氧化硅体内且在基底的上表面上由下至上依次设置有起隔离作用的栅氧层和用于发光的多晶硅LED，所述的基底内临近上表面且位于栅氧层和多晶硅LED的一侧设置有用于接收从所述金属层所反射的光的单晶硅PD。本发明能够将输入的电信号通过多晶硅LED发光转化成光信号,然后光信号经过金属反射被单晶硅光电探测器转换成电信号输出。本发明能够在不增加集成电路制造成本基础上，实现芯片上光通信的同时有效的减少光传输路程，减少电干扰。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，包括基底(1)，其特征在于，所述基底(1)的上表面上设置有二氧化硅体(6)，所述二氧化硅体(6)内位于上部设置有用于反射光的金属层(5)，所述二氧化硅体(6)内且在基底(1)的上表面上由下至上依次设置有起隔离作用的栅氧层(3)和用于发光的多晶硅LED(4)，所述的基底(1)内临近上表面且位于栅氧层(3)和多晶硅LED(4)的一侧设置有用于接收从所述金属层(5)所反射的光的单晶硅PD(2)。