[发明专利]一种高纯聚晶金刚石的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610909641.8 申请日: 2016-10-19
公开(公告)号: CN106518077A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 贺端威;刘进;杜雁春 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C04B35/52 分类号: C04B35/52;C04B35/622;C04B35/64;C30B28/04;C30B29/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种高纯聚晶金刚石的制备方法,属于超硬材料的合成领域。本发明的目的是提供一种高纯聚晶金刚石的制备方法,将金刚石或金刚石与非金刚石碳的混合物等原材料经过真空表面净化与高熔点包裹材料预压封装后,在8~20GPa,1200~3000℃条件下直接烧结合成高纯聚晶金刚石。本发明所述方法中作为原材料的金刚石的粒度为5纳米~100微米,金刚石在原材料中含量为20wt%以上,所述非金刚石碳成分可以是石墨、非晶石墨、石墨烯、富勒烯、C60、玻璃碳、非晶碳、碳纳米管中的一种或几种,通过对原料不同粒度与比例的调节,可以根据需求调整合成的聚晶金刚石的硬度、耐热性、耐磨性、抗冲击强度等性能,从而满足工业化大批量生产的需求。
搜索关键词: 一种 高纯 金刚石 制备 方法
【主权项】:
一种高纯聚晶金刚石的制备方法,其特征在于:该聚晶金刚石的制备方法包括如下步骤:第一步:选取金刚石或金刚石与非金刚石碳的混合物作为原材料;第二步:将上述第一步中选取的原材料经过真空表面净化,后放入高熔点包裹材料预压封装;第三步:将上述第二步封装得到的样品包裹体再次进行真空表面净化处理,之后放入增压合成元件中,进行高温高压烧结,烧结条件为:8~20G Pa,1200~3000 ℃,烧结时间为1~100分钟。
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