[发明专利]基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法有效
| 申请号： | 201610907225.4 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106449739B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 方靖岳;李永强;李欣幸;秦华;常胜利;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410073 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法，主要组成部分是单电子晶体管，单电子晶体管具有库仑岛、源极、漏极和栅极，量子点作为单电子晶体管的库仑岛，库仑岛与源极和漏极以隧穿势垒连接，库仑岛与栅极以电容形式耦合；单电子晶体管置于垂直磁场中，单电子晶体管的漏极输出端连接自旋电子读出电路，自旋电子读出电路置于水平非均匀磁场中。本发明采用外部调控的方法，使自旋非极化的电子经过单电子晶体管后，变为自旋极化的电子，而且能对电子的自旋方向进行判定和计数，有利于数据处理快、功耗低、稳定性好的自旋电子器件的设计应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 电子 自旋 过滤器 过滤 方法 | ||
【主权项】：
一种基于量子点的单电子自旋过滤器，其特征在于：主要组成部分是单电子晶体管，单电子晶体管具有库仑岛、源极、漏极和栅极，量子点作为单电子晶体管的库仑岛，库仑岛与源极和漏极以隧穿势垒连接，库仑岛与栅极以电容形式耦合；单电子晶体管置于垂直磁场中，单电子晶体管的漏极输出端连接自旋电子读出电路，自旋电子读出电路置于水平非均匀磁场中。
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