[发明专利]AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610898680.2 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106299047A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 邹俊煊 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；高温u‑AlGaN层；位于高温u‑AlGaN层上的高温n‑AlGaN层；位于高温n‑AlGaN层上的n‑AlGaN粗化层；位于n‑AlGaN粗化层上的低温AlInGaN/AlGaN超晶格层，低温AlInGaN/AlGaN超晶格层包括层叠设置的低温AlInGaN层和低温AlGaN层；位于低温AlInGaN/AlGaN超晶格层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑AlGaN披覆层；位于高温p‑AlGaN披覆层上的高温p‑GaN接触层；其中，衬底与高温u‑AlGaN层之间设置SiO2图形化掩模和缓冲层。本发明采用n型AlGaN粗化层，后续外延层延续此粗化表面生长，从而打断连续的二维平面生长，使发光区所产生的光得以从侧面输出，避免光于平面内多次反射最终被吸收损耗。 | ||
| 搜索关键词： | alingan 紫外 led 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种AlInGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：衬底；高温u‑AlGaN层；位于所述高温u‑AlGaN层上的高温n‑AlGaN层；位于所述高温n‑AlGaN层上的n‑AlGaN粗化层；位于所述n‑AlGaN粗化层上的低温AlInGaN/AlGaN超晶格层，所述低温AlInGaN/AlGaN超晶格层包括层叠设置的低温AlInGaN层和低温AlGaN层；位于所述低温AlInGaN/AlGaN超晶格层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑AlGaN披覆层；位于所述高温p‑AlGaN披覆层上的高温p‑GaN接触层；其中，所述衬底与高温u‑AlGaN层之间设置SiO2图形化掩模和缓冲层。
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