[发明专利]一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201610896334.0 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN106554326B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 罗军华;孙志华;张静;姬成敏;张伟川;李丽娜 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C07D295/027 分类号: C07D295/027;C07D295/023;G01J1/42
代理公司: 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 代理人: 方金芝;黄秀婷
地址: 350000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5,属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近,在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能,可以用于制作光电导探测器,在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值;本发明的合成制备方法实用性较强,路线简单,易于操作,无需复杂的生产设备,制造成本低,适用于批量生产。
搜索关键词: 一种 有机 无机 半导体 二环己亚铵溴化铋 化合物 晶体 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋晶体,其特征在于:所述的有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋晶体的分子式为C12H28N2BiBr5,结构简式为(C6H12NH2)2BiBr5;它属于单斜晶系,P21/n空间群;所述的晶体的晶胞参数为β=93.62(8)°,Z=4,单胞体积为
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