[发明专利]非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610885979.4 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106409673B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣;叶滋婧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法，所述非晶碳膜的形成方法包括：提供一基底；在所述基底上沉积一非晶碳膜；对所述非晶碳膜进行一热处理工艺。本发明通过对所述非晶碳膜进行一热处理工艺，能够完全去除所述非晶碳膜表面的水汽，同时使所述非晶碳膜的材质更加致密，所述微机电系统器件的制作方法采用所述非晶碳膜作为牺牲层，增强后续后层结构与所述非晶碳膜之间的粘合性，防止后层结构的滑动或脱落，从而提高相应器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶碳膜 形成 方法 以及 微机 系统 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶碳膜的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上沉积一非晶碳膜；对所述非晶碳膜进行一热处理工艺，所述热处理工艺的温度为385摄氏度‑400摄氏度，压力为5Torr‑20Torr，时间为3min‑20min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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