[发明专利]负极活性物质及包括所述物质的负极和锂电池有效
申请号: | 201610878435.5 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106953090B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 秋希姈;金哉赫;徐淳星;H-N.柳;权升旭;尹德荧 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/36;H01M4/587;H01M4/40;H01M4/485;H01M10/0525;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
负极活性物质包括基于硅的合金,且基于硅的合金包括Si单相、FeSi |
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搜索关键词: | 负极 活性 物质 包括 锂电池 | ||
【主权项】:
负极活性物质,其包括:基于硅的合金,其中基于硅的合金由Si‑Fe‑M1表示,M1为选自如下的至少一种:锂(Li)、镁(Mg)、钙(Ca)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、钼(Mo)、铟(In)、锡(Sn)、硼(B)、碳(C)、氧(O)、和磷(P),基于硅的合金包括Si单相、FeSi2α相、和FeSi2β相,负极活性物质的Cu‑KαX射线衍射分析图谱具有在17.0°+/‑0.5°的衍射角2θ处的由FeSi2α相产生的第一衍射峰和在28.7°+/‑0.5°的衍射角2θ处的由FeSi2β相产生的第二衍射峰,和由FeSi2β相产生的第二衍射峰对由FeSi2α相产生的第一衍射峰的强度比为0.1或更高。
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