[发明专利]一种半导体键合线的制备方法在审
| 申请号： | 201610876584.8 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449446A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陶德培 | 申请（专利权）人： | 陶德培 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C1/02;C22C9/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体键合线的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)熔炼制棒，其包括二元合金棒料及键合线棒料；(2)键合线棒料的拉拔；(3)键合线清洗；(4)键合线退火；(5)键合线复绕。本发明采用二次熔炼方法制备键合线棒料，使混炼材料熔炼充分，制得的材料导电性、传导性和延展性较好，且便于加工；通过对键合线进行清洗，有利于将键合线上的污垢清洗干净，防止键合线轻微氧化；通过对键合线进行退火处理，并且采用氮气作为保护气体，提高了安全性，同时通过在退火过程中对键合线滴注SN防银变色剂，提高了键合线的抗氧化性，从而有利于延长其使用周期；通过采用交叉排线的方式，有利于避免放线时出现夹丝、粘丝的异常现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 键合线 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体键合线的制备方法，其特征在于：该方法包括以下具体制备步骤：(1)熔炼制棒，其包括二元合金棒料及键合线棒料；(2)键合线棒料的拉拔；(3)键合线清洗；(4)键合线退火；(5)键合线复绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
