[发明专利]光刻机检测用掩膜版在审
| 申请号： | 201610874750.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106292175A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻机检测用掩膜版，所述的掩膜版包含有主图形区及划片区：所述的主图形区为一种或多种尺寸图形的重复规则排列而成的图形区域，该区域几乎覆盖整块掩膜版；所述的划片区，即把主图形区均匀分割开的区域。划片区内包含有9个相同的CD Bar标记，所述9个CD Bar标记均匀分布在划片区上；划片区还包含两套OVL对准标记：其中一套为OVL自对准标记，包含4个OVL自对准标记，其位置放置在划片区的外围区域；另一套为OVL外对准标记，包含4个OVL外对准标记，其位置也放置在划片区的外围区域。本发明只用一块掩膜版就能实现对光刻机多种项目的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 检测 用掩膜版 | ||
【主权项】：
一种光刻机检测用掩膜版，其特征在于：所述的掩膜版包含有主图形区及划片区；所述的主图形区为一种或多种尺寸的基本图形的重复规则排列后而组成的图形区域，该区域覆盖至少90％面积的掩膜版；所述的划片区，即把主图形区均匀分割开的区域；划片区内包含有9个相同的CD Bar标记，所述9个CD Bar标记均匀分布在划片区上；划片区还包含两套OVL对准标记：其中一套为OVL自对准标记，为4个，其位置放置在划片区的外围区域；另一套为OVL外对准标记，包含4个OVL外对准标记，其位置也放置在划片区的外围区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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