[发明专利]存储器和包括其的电子装置有效
申请号: | 201610871702.6 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN107025932B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 姜奭准 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体存储器可以包括:单元阵列,所述单元阵列包括以多个列和多个行布置的多个阻变存储单元;读取电压施加电路,所述读取电压施加电路被配置成施加读取电压至所述多个阻变存储单元中的选中存储单元;感测电路,所述感测电路被配置成检测流经所述选中存储单元的电流量并且感测数据;以及过电流防止单元,所述过电流防止单元被配置成当过电流流经所述选中存储单元时,降低在所述选中存储单元的两个端部处的电压电平的差值。 | ||
搜索关键词: | 存储器 包括 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种包括半导体存储器的电子装置,其中,所述半导体存储器包括:单元阵列,所述单元阵列包括多个阻变存储单元,所述多个阻变存储单元被布置成多个列和多个行;读取电压施加电路,所述读取电压施加电路被配置成施加读取电压至所述多个阻变存储单元中的选中存储单元;感测电路,所述感测电路被配置成检测流经所述选中存储单元的电流量,并且感测存储在所述选中存储单元中的数据;以及过电流防止电路,所述过电流防止电路被配置成当过电流流经所述选中存储单元时,降低在所述选中存储单元的第一节点和第二节点处的电压电平的差值。
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