[发明专利]一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构在审
| 申请号： | 201610865714.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106158941A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张广银;谭骥;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构，与传统器件结构相比，在漂移区内部插入了与漂移区掺杂性质相反的异性掺杂区两个P柱区。通过改进，漂移区厚度减小，通态压降减小，晶体管的终端结构加工工艺难度和成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 耐压 绝缘 双极晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构，包括一单晶衬底，两个P柱区和一N型外延层，其中：所述单晶衬底为刻蚀有等距离的多个凹槽的衬底的一个单元；所述两个P柱区外延形成于所述单晶衬底的凹槽中；所述N型外延层形成于所述单晶衬底和所述两个P柱区的顶端。
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