[发明专利]用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法有效
| 申请号： | 201610865697.8 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106229287B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐宸科;邵小娟;郑建森;时军朋;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于微元件的转移的转置头及微元件的转移方法，所述转置头包括：腔体；若干真空路径，分别与所述腔体相通，在相通处分别设置可开/关的阀门；若干个吸嘴，分别与所述真空路径相通，所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各真空路径传送；开关组件，用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 元件 转置头 方法 | ||
【主权项】：
1.用于转移微元件的转置头，包括：腔体；若干真空路径，分别与所述腔体相通，在相通处分别设置可开/关的阀门；若干个吸嘴，分别与所述真空路径相通，所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各真空路径传送；开关组件，用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件，其包括CMOS存储电路及与所述CMOS存储电路连接的地址电极阵列，所述地址电极阵列与各个所述真空路径的阀门对应；所述阀门为一可动的构件，所述地址电极阵列由所述CMOS存储电路用电压电位选择性激励以产生致使相应的可动的构件朝向相应的地址电极偏斜或靠近的静电吸引力，以控制各真空路径的开或关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
