[发明专利]ZrO2薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法

摘要

本发明公开ZrO₂薄膜及其后处理方法、QLED及其制备方法，方法包括步骤：首先在衬底上沉积一层ZrO₂薄膜，然后将ZrO₂薄膜浸入含有0.1‑0.5mol/L的TiCl₄溶液或者SnCl₂溶液或者为二者的混合液中，浸泡时间为5‑30min，然后使用溶剂清洗ZrO₂薄膜，待ZrO₂薄膜表面干燥以后，进行退火处理，完成ZrO₂薄膜后处理。本发明通过对ZrO₂薄膜表面进行改性，使得电子更容易传输，从而提高电子的传输能力。本发明ZrO₂薄膜可以分散到醇溶液中，使其可以和油溶性的QD层形成正交溶剂。ZrO₂薄膜能应用于正型和反型的QLED中。

主权项

1.一种ZrO₂薄膜后处理的方法，其特征在于，包括步骤：首先在衬底上旋涂ZrO₂溶液后进行第一次退火处理而沉积一层ZrO₂薄膜，第一次退火处理的温度为50‑70℃，然后将ZrO₂薄膜浸入含有0.1‑0.5mol/L的TiCl₄溶液或者SnCl₂溶液或者为二者的混合液中，浸泡时间为5‑30min，然后使用溶剂清洗ZrO₂薄膜，待ZrO₂薄膜表面干燥以后，进行第二次退火处理，第二次退火处理的条件：温度为100℃‑300℃，时间为15‑30min，完成ZrO₂薄膜后处理。