[发明专利]一种提高光学临近修正准确性的方法有效
申请号: | 201610857458.8 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106292174B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 吴维维;于世瑞;蒋斌杰;张立毅 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种提高光学临近修正准确性的方法,其包括:步骤S1:在进行基于模型的光学临近修正之前,确定版图中尺寸较大的目标图形;针对版图中尺寸较大的目标图形,按照一定的规则,较大面积地填充加入一定方向、宽度、长度、间距以及错位大小的反向狭槽型辅助图形;步骤S2:对版图进行基于模型的光学临近修正。本发明通过平衡整个测试区域的光线透过率,减小了模型在模拟光学系统上的误差,从而提高基于模型的光学临近修正的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 光学 临近 修正 准确性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高光学临近修正准确性的方法,其特征在于,包括:/n步骤S1:确定版图中尺寸较大的目标图形;针对所述版图中尺寸较大的目标图形,按照一定的规则,大面积填充一预定方向、预定宽度、长度、预定间距以及预定错位大小的反向狭槽型辅助图形;其中,所述按照一定规则是指在距离目标的图形层一预定范围内;所述大面积填充是指在满足条件的反向狭槽型辅助图形区域都进行填充;所述步骤S1中的一预定方向指反向狭槽型辅助图形为竖直和/或水平;所述预定间距是指反向狭槽型辅助图形的间距,所述预定错位是指反向狭槽型辅助图形的竖直方向上的错位;所述版图中尺寸较大的目标图形为在常规的散射条加入之后,能具有满足至少加入一列或一行规定长度的反向狭槽型辅助图形的尺寸;/n所述步骤S1具体包括:/n步骤S11:选取待填充反向狭槽型辅助图形的目标图形区域A;其中,所述目标图形区域A在基于规则的光学临近修正填充常规散射条之后,选中由常规散射条往外,确定需排布反向狭槽型辅助图形的目标区域范围;/n步骤S12:选择反向狭槽型辅助图形的宽度和长度;其中,所述反向狭槽型辅助图形的宽度等于或小于常规的散射条宽度,且确保反向狭槽型辅助图形不在晶圆上被曝出来;/n步骤S13:在区域A中填充所述反向狭槽型辅助图形;/n步骤S2:对版图进行基于模型的光学临近修正。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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