[发明专利]一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201610854815.5 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107868942B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 叶华;贾强;徐悦;蒋秉轩;侯珏;石璞;郑金果;宗令蓓;赵梦欣;丁培军;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去气腔室 及其 方法 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种去气方法，其特征在于，包括：/n步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持所述去气腔室内维持所述预设温度；/n步骤S11：将待去气晶片传入保持在所述预设温度的所述去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对所述待去气晶片进行去气。/n
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