[发明专利]低噪声放大电路

摘要

本发明涉及一种低噪声放大电路。上述低噪声放大电路，包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元，其中，对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元，对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置，就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态，其结构简单、成本低，同时也节约了PCB板的使用面积。

主权项

1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括级联的多级低噪声放大器、对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元，以及对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的第二偏置单元；其中，所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器，所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；所述第一偏置单元包括第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻、第二电阻连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的另一端与正电压供电端连接；所述第一三极管的集电极经所述第三电阻、第四电阻与负电压供电端连接；所述第一三极管的发射极经所述第五电阻与所述正电压供电端连接；所述低噪声放大器为晶体管放大器，所述晶体管放大器的源极接地；所述晶体管放大器的栅极与所述第三电阻、第四电阻的公共点连接；所晶体管放大器的漏极与所述第一三极管的发射极连接；所述第二偏置单元为直流偏置芯片。