[发明专利]一种用于Flash存储器的差分位线结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201610850608.2 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106409338B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 拜福君 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李宏德<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种用于Flash存储器的差分位线结构及其操作方法，读取可靠，编程操作电压低，存储单元使用寿命长。所述结构包括一对差分位线和一个数据缓冲电路；一对差分位线包括一端分别连接数据缓冲电路的第一位线BL0和第二位线BL1；数据缓冲电路的输出端分别连接输出数据线DQ和输出反数据线DQB；第一位线BL0的另一端连接第一个存储单元Cell0，第二位线BL1的另一端连接第二个存储单元Cell1；第一个存储单元Cell0和第二个存储单元Cell1的阈值不同，且共同表示1比特信息；当第一个存储单元Cell0的阈值高，第二个存储单元Cell1的阈值低时，表示数据0或1，反之表示数据1或0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 flash 存储器 差分位线 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于Flash存储器的差分位线结构，其特征在于，包括一对差分位线和一个数据缓冲电路；一对差分位线包括一端分别连接数据缓冲电路的第一位线BL0和第二位线BL1；数据缓冲电路的输出端分别连接输出数据线DQ和输出反数据线DQB；/n第一位线BL0的另一端连接第一个存储单元Cell0，第二位线BL1的另一端连接第二个存储单元Cell1；第一个存储单元Cell0和第二个存储单元Cell1的阈值不同，且共同表示1比特信息；/n当第一个存储单元Cell0的阈值高，第二个存储单元Cell1的阈值低时，表示数据0，反之表示数据1；或者，/n当第一个存储单元Cell0的阈值低，第二个存储单元Cell1阈值高时，表示数据0；反之，表示数据1；/n所述的数据缓冲电路包括一个差分输入的灵敏放大器SA，以及分别通过第一数据节点S0和第二数据节点S1连接在灵敏放大器SA两个输入端的第一电压比较器VC0和第二电压比较器VC1；第一电压比较器VC0和第二电压比较器VC1分别与第一位线BL0和第二位线BL1连接；/n当输入数据时灵敏放大器用于输入数据的锁存；/n当读取数据时灵敏放大器用于将一对差分位线上由于阈值不同造成的电压差进行放大；/n当编程或擦除验证时电压比较器对相应输入位线的电压和参考电压Vref的高低进行比较，并将结果输出至对应的数据节点。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司，未经西安紫光国芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610850608.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种家庭智能车联控制系统
- 下一篇：精准信息推送方法、装置和系统
