[发明专利]一种非易失性双列直插式存储器及存储方法在审
| 申请号： | 201610849777.4 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106406767A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;黄添益;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F1/26 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储领域，尤其涉及一种非易失性双列直插式存储器及存储方法。本发明中，当系统掉电后，备份数据所需要的NVM容量大大小于传统的NVDIMM，这将大大降低NVDIMM的价格、超级电容的容量、发热量等，对于大量使用NVDIMM的数据中心等是一个很大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性双列直插式 存储器 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性双列直插式存储器，其特征在于，包括：DRAM模块，包括多个内存存取单元，每个所述内存存取单元均包括一写位单元和与所述写位单元连接的同步位单元，所述写位单元判断该内存存取单元于一预设时间内是否写入数据，输出第一判断结果，所述同步位单元判断于所述预设时间内，所述数据是否仅写入了所述DRAM模块中，输出第二判断结果；NVM模块，与所述DRAM模块连接，于掉电时，存储仅写入所述DRAM模块中的数据；控制模块，分别连接所述DRAM模块和所述NVM模块，于掉电时，根据所述第一判断结果和所述第二判断结果，控制仅写入所述DRAM模块中的数据备份至所述NVM模块中；其中，所述NVM模块的存储容量小于所述DRAM模块的存储容量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新储集成电路有限公司，未经上海新储集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610849777.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据存储方法及装置
- 下一篇：安卓系统用户数据分区调整方法及装置
