[发明专利]一种金属氧化物、QLED及制备方法有效
| 申请号： | 201610849580.0 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106450042B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物、QLED及制备方法，金属氧化物制备方法包括步骤：将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，然后与PVP混合，再在100~300℃条件下反应30min~2h，得到PVP包覆的金属氧化物，或者，将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，在100~300℃条件下反应30min~2h，然后与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物；或者将金属氧化物的纳米粒子溶液与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物。本发明通过在金属氧化物表面包覆PVP，即可降低金属氧化物表面的缺陷，提高QLED的效率，该方法过程简单，易实施，可大规模应用在器件当中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高QLED器件性能的金属氧化物制备方法，其特征在于，包括步骤：将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，然后与PVP混合，再在100~300℃条件下反应30min~2h，得到PVP包覆的金属氧化物；或者，将金属氧化物的前驱体溶解于溶剂中，在100~300℃条件下反应30min~2h，然后与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物；或者，将金属氧化物的纳米粒子溶液与PVP混合，得到PVP包覆的金属氧化物。
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